- Главная>
- Технологии>
- Технология 250нм>
- Приборы
Приборы
МОП - транзистор |
Имя модели |
Пороговое напряжение Vt (мВ) |
Ток в пологой области Ion (мкА/мкм) |
Ток утечки Ioff (пА/мкм) |
2.5 В N-канальный МОП транзистор |
dgnfet |
0.42 |
610 |
10 |
2.5 В P-канальный МОП транзистор |
dgpfet |
-0.38 |
275 |
15 |
2.5 В N-канальный МОП транзистор c встроенным каналом |
zvtdgnfet |
0.01 |
565 |
- |
2.5 В N-канальный МОП транзистор в изолированном P-кармане |
dgnfettw |
0.42 |
610 |
|
3.3 В N-канальный МОП транзистор |
dg3nfet |
0.62 |
590 |
0.4 |
3.3 В P-канальный МОП транзистор |
dg3pfet |
-0.61 |
250 |
0.5 |
3.3 В N-канальный МОП транзистор в изолированном P-кармане |
dg3nfettw |
0.62 |
590 |
|
5.0 В N-канальный МОП транзистор |
dg5nfet |
0.67 |
520 |
1.0 |
5.0 В P-канальный МОП транзистор |
dg5pfet |
-0.59 |
250 |
1.0 |
5.0 В N-канальный МОП транзистор в изолированном P-кармане |
dg5nfettw |
0.67 |
520 |
|