Приборы

МОП - транзистор

Имя

 модели

Пороговое напряжение

Vt (мВ)

Ток в пологой области

Ion  (мкА/мкм)

Ток утечки

Ioff (пА/мкм)

2.5 В N-канальный МОП транзистор

dgnfet

0.42

610

10

2.5 В P-канальный МОП транзистор

dgpfet

-0.38

275

15

2.5 В N-канальный МОП транзистор c

          встроенным каналом

zvtdgnfet

0.01

565

-

2.5 В N-канальный МОП транзистор в

      изолированном P-кармане

dgnfettw

0.42

610

 

3.3 В N-канальный МОП транзистор

dg3nfet

0.62

590

0.4

3.3 В P-канальный МОП транзистор

dg3pfet

-0.61

250

0.5

3.3 В N-канальный МОП транзистор в

      изолированном P-кармане

dg3nfettw

0.62

590

 

5.0 В N-канальный МОП транзистор

dg5nfet

0.67

520

1.0

5.0 В P-канальный МОП транзистор

dg5pfet

-0.59

250

1.0

5.0 В N-канальный МОП транзистор в

      изолированном P-кармане

dg5nfettw

0.67

520