content top

«Ангстрем-Т» – первая в России фабрика по производству полупроводниковых схем с топологическим размером 130 – 90 нм.

Наша цель – обеспечение возможности производства малых, средних и крупных заказов с использованием широкого спектра процессов для российских и зарубежных заказчиков.


Новости

22.08.2011. Фабрика «Ангстрем-Т» анонсирует новые Process Design Kit и Foundry Design Kit для платформ заказного и полузаказного проектирования на базе цифро-аналоговых продуктов CADENCE

Зеленоград, Россия, 22 августа 2011 года – Российская полупроводниковая фабрика Ангстрем-Т, специализирующаяся на производстве цифровых и цифро-аналоговых СБИС, анонсировала сегодня новую версию собственного Foundry Design Kit (FDK), включающего в себя Process Design Kit (PDK), библиотеки стандартных элементов (SC) и библиотеки элементов ввода/вывода (IO) для цифрового и цифро-аналогового проектирования по технологии 130 нанометров [...]

30.08.2009. ОАО «Ангстрем-Т» выполнило строительные работы подготовительного периода

Полностью осуществлена подготовка к строительным работам

24.06.2009. Проект создания производства по технологии 90 нм одобрен НТС «Роснано»

Представленный ОАО «Ангстрем-Т» проект создания производства интегральных схем по технологии 90 нм получил одобрение Научно-технического совета госкорпорации «Роснано»

23.04.2009. Получено разрешение на производство работ на подготовительный период

Получено разрешение на производство работ на подготовительный период